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管式爐CVD原理供氣系統(tǒng)

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管式爐CVD原理供氣系統(tǒng)

CVD(Chemical Vapor Deposition)原理

CVD(Chemical Vapor Deposition,化學氣相沉積),指把含有構成薄膜元素的氣態(tài)反應劑或液態(tài)反應劑的蒸氣及反應所需其它氣體引入反應室,在襯底表面發(fā)生化學反應生成薄膜的過程。在超大規(guī)模集成電路中很多薄膜都是采用CVD方法制備。經(jīng)過CVD處理后,表面處理膜密著性約提高30%,防止高強力鋼的彎曲,拉伸等成形時產(chǎn)生的刮痕。

CVD特點

淀積溫度低,薄膜成份易控,膜厚與淀積時間成正比,均勻性,重復性好,臺階覆蓋性優(yōu)良。

CVD制備的必要條件

1) 在沉積溫度下,反應物具有足夠的蒸氣壓,并能以適當?shù)乃俣缺灰敕磻遥?/span>

2) 反應產(chǎn)物除了形成固態(tài)薄膜物質(zhì)外,都必須是揮發(fā)性的;

3) 沉積薄膜和基體材料必須具有足夠低的蒸氣壓。

何為cvd?

CVD是Chemical Vapor Deposition的簡稱,是指高溫下的氣相反應,例如,金屬鹵化物、有機金屬、碳氫化合物等的熱分解,氫還原或使它的混合氣體在高溫下發(fā)生化學反應以析出金屬、氧化物、碳化物等無機材料的方法。這種技術*初是作為涂層的手段而開發(fā)的,但目前,不只應用于耐熱物質(zhì)的涂層,而且應用于高純度金屬的制、粉末合成、半導體薄膜等,是個頗具特征的技術領域。

其技術特征在于:高熔點物質(zhì)能夠在低溫下合成;析出物質(zhì)的形態(tài)在單晶、多晶、晶須、粉末、薄膜等多種;不僅可以在基片上進行涂層,而且可以在粉體表面涂層,等。特別是在低溫下可以合成高熔點物質(zhì),在節(jié)能方面做出了貢獻,作為種新技術是大有前途的。

例如,在1000℃左右可以合成a-Al2O3、SiC,而且正向更低溫度發(fā)展。

CVD工藝大體分為二種:種是使金屬鹵化物與含碳、氮、硼等的化合物進**相反應;另種是使加熱基體表面的原料氣體發(fā)生熱分解。

CVD的裝置由氣化部分、載氣練部分、反應部分和排除氣體處理部分所構成。目前,正在開發(fā)批量生產(chǎn)的新裝置。

CVD是在含有原料氣體、通過反應產(chǎn)生的副生氣體、載氣等多成分系氣相中進行的,因而,當被覆涂層時,在加熱基體與流體的邊界上形成擴散層,該層的存在,對于涂層的致密度有很大影響。圖2所示是這種擴散層的示意圖。這樣,由許多化學分子形成的擴散層雖然存在,但其析出過程是復雜的。粉體合成時,核的生成與成長的控制是工藝的重點。

作為新的CVD技術,有以下幾種:

⑴采用流動層的CVD;

⑵流體床;

⑶熱解射流;

⑷等離子體CVD;

⑸真空CVD,等。

應用流動層的CVD如圖3所示,可以形成被覆粒子(例如,在UO2表面被覆SiC、C),應用等離子體的CVD同樣也有可能在低溫下析出,而且這種可能性正在擴大。

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